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Dual, SiGe, High-Linearity, 1700MHz to 2200MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
+5.0V SUPPLY AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(Typical Application Circuit optimized for the DCS/PCS band, R1 = R4 = 806 Ω , R2 = R5 = 2.32k Ω , V CC = +4.75V to +5.25V, RF and
LO ports are driven from 50 Ω sources, P LO = -3dBm to +3dBm, PRF = -5dBm, f RF = 1700MHz to 2000MHz, f LO = 1510MHz to
1810MHz, f IF = 190MHz, f RF > f LO , T C = -40°C to +85°C. Typical values are at V CC = +5.0V, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm,
fRF = 1800MHz, f LO = 1610MHz, f IF = 190MHz, T C = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 6)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
P RF = -10dBm (Note 8)
f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
P RF = -5dBm (Note 8)
f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
P LO = 0dBm, P RF = -10dBm,
V CC = +5.0V, T C = +25°C (Note 8)
f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
54
49
56
79
74
79
2RF-2LO Spur Rejection
2x2
P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, V CC = +5.0V,
51
74
dBc
T C = +25°C (Note 8)
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f IF = 190MHz, f LO = 1760MHz,
f RF = 1950MHz, P RF = -10dBm
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f IF = 190MHz, f LO = 1760MHz,
f RF = 1950MHz, P RF = -5dBm
79
74
f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
P RF = -10dBm (Note 8)
f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
P RF = -5dBm (Note 8)
f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
P LO = 0dBm, P RF = -10dBm,
V CC = +5.0V, T C = +25 o C (Note 8)
f RF = 1800MHz, f LO = 1600MHz,
77
67
79
91
81
91
3RF-3LO Spur Rejection
3x3
P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, V CC = +5.0V,
69
81
dBc
T C = +25°C (Note 8)
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f IF = 190MHz, f LO = 1760MHz,
f RF = 1950MHz, P RF = -10dBm
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f IF = 190MHz, f LO = 1760MHz,
f RF = 1950MHz, P RF = -5dBm
86
76
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